一、總體描述：

該系統(tǒng)由磁控濺射、PECVD、真空獲得部分、真空測量部分、氣路部分、電源控制部分等組成。可用于制備金屬膜、介質(zhì)膜以及實驗室新材料研究領(lǐng)域。

二、主要配置方案：

1、真空獲得和測量：采用一臺600L/s渦輪分子泵通過兩臺CF150閘板閥分別對磁控濺射系統(tǒng)和PECVD系統(tǒng)進(jìn)行主抽，前級泵為30升羅茨泵和8升機械泵。磁控濺射系統(tǒng)通過一個CF35角閥實現(xiàn)旁抽。PECVD系通過一個CF35角閥和節(jié)流蝶閥實現(xiàn)旁抽。真空測量：采用數(shù)顯復(fù)合真空計和數(shù)顯電阻真空計測量，極限真空度：10-5Pa。

2、磁控濺射系統(tǒng)：真空室尺寸Φ內(nèi)400X350，不銹鋼立式結(jié)構(gòu);上蓋電動提升;周圍布置泵口、觀察窗口、電極法蘭等窗口;樣品架在真空室上蓋上，放置單個樣品，最大尺寸Φ20，可電動自轉(zhuǎn)和手動升降，轉(zhuǎn)速10-60轉(zhuǎn)/分可調(diào);加熱溫度600℃，程序控溫;三個靶在下，向上共濺射。其中，兩個靶可直流濺射，一個靶可射頻濺射。靶尺寸：Φ60，每靶均可手動相對樣品移動，移動距離40mm，每靶具有獨立擋板;

3、PECVD系統(tǒng)：真空室尺寸Φ內(nèi)300X300，不銹鋼立式結(jié)構(gòu);周圍布置泵口、觀察窗口兼活門、電極法蘭等窗口;樣品架在真空室上蓋上，放置單個樣品，最大尺寸Φ20，可手動升降;加熱溫度800℃，程序控溫;射頻等離子體電極在下，反應(yīng)氣體從下方導(dǎo)入。

4、四路質(zhì)量流量計控制工作氣體和反應(yīng)氣體并配相應(yīng)的截止閥。磁控濺射系統(tǒng)氣路與PECVD系統(tǒng)氣路共用。

5、電控系統(tǒng)：

電源：直流濺射電源兩臺，功率：500W;射頻濺射電源(自動調(diào)節(jié)匹配)一臺(磁控靶與射頻等離子體電極切換，共用一臺)，功率500W;樣品控溫電源一臺(磁控靶與射頻等離子體電極切換，共用一臺)，;機械泵、真空室烘烤照明、樣品自轉(zhuǎn)控制電源一臺。分子泵、真空計、總控電源一臺。所有電源均安放在一個標(biāo)準(zhǔn)電控機柜中。

6、其它輔件：整套系統(tǒng)安裝在一型鋼結(jié)構(gòu)的支撐架上，支撐架上方鋪蓋不銹鋼裝飾板，圍板和支撐架噴塑處理;配備濺射室上蓋升降機一臺，配備冷卻水分水器并有水流報警開關(guān)。